LT-2型单晶少子寿命测试仪$n是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

CV-2000型电容电压特性测试仪$n作为组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应（势垒电容）。加正向偏压时，PN结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压时，PN结势垒区变宽，势垒电容变小。

CV-5000型电容电压特性测试仪$n在集成电路特别是MOS电路的生产和开发研制中，MOS电容的C-V测试是极为重要的工艺过程监控测试手段，通过C-V测试达到优化生产过程中的工艺参数，提高IC成品率。

RTS-11型金属四探针测试仪$n于测试低阻金属材料电阻率及方块电阻$n测量范围：电阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方块电阻：10-6～10-1Ω/□；$n是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备，该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，于测试金属材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。

RTS-5型双电测四探针测试仪测试程序控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析